金融界 2024 年 12 月 5 日消息，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“低電壓 Micro-LED 外延片及其制備方法、Micro-LED”的專利，公開號(hào) CN 119069598 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 11 月。
專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種低電壓 MicroLED外延片及其制備方法、MicroLED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。低電壓 MicroLED 外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜 GaN 層、N 型 GaN 層、多量子阱層、電子阻擋層、P 型 GaN 層和 P 型接觸層；其中，所述P 型接觸層包括依次層疊于所述P 型 GaN 層上的多孔AlInN 層、二維 P 型 BGaN 層、AlN 粗化層、P 型 BInGaN 納米團(tuán)簇層和 P 型 AlInGaN 粗化層；其中，所述多孔 AlInN 層通過 H2 刻蝕 AlInN 層制得，所述 P 型 AlInGaN 粗化層通過 N2 粗化 P 型 AlInGaN 層制得。實(shí)施本發(fā)明，可降低工作電壓，且提升光提取效率，進(jìn)而提升發(fā)光效率。
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