Micro-LED顯示技術是一種將尺寸微縮化的半導體發(fā)光二極管以矩陣形式高密度集成的新型顯示技術，是LED芯片與平板顯示制造的交叉學科應用技術，其在亮度、響應速度、功耗、透明度、穩(wěn)定性等方面具有顯著優(yōu)勢，被廣泛認為是下一代主流顯示技術。然而，由于高質(zhì)量紅光InGaN量子阱外延生長技術瓶頸，氮化鎵基的紅光Micro-LED芯片效率一直難以突破。
南京大學與合肥工業(yè)大學團隊一直致力于高In組分紅光LED外延生長研究，先后通過優(yōu)化生長條件、設計多種應力調(diào)控結構，顯著提升了高In組分InGaN量子阱材料質(zhì)量，通過分子束外延技術成功制備出電注入效率超過90%的隧道結紅光Micro-LED器件，并深入闡釋了該器件在高溫環(huán)境下性能衰退的現(xiàn)象及其背后的物理機制。該部分研究成果以“High-temperature performance of InGaN-based amber micro-light-emitting diodes using an epitaxial tunnel junction contact”為題，發(fā)表于Applied Physics Letters 124, 142103 (2024) ( https://doi.org/10.1063/5.0190000 )，并被APL主編選為Editor's Pick。
南京大學和廈門大學技術團隊進一步與天馬微電子公司合作，創(chuàng)新提出了提升激光巨量轉(zhuǎn)移效率和良率的新方法和新技術，聯(lián)合研制出國際上第一塊RGB全氮化物芯片TFT基超視網(wǎng)膜顯示Micro-LED全彩屏，像素密度高達403PPI，該工作證實了全氮化物顯示技術的可行性，為未來新型顯示技術的發(fā)展提供新的全彩技術方案。
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圖1：（a）隧道結紅光Micro-LED透射電子顯微鏡圖；混合量子阱（b）In和（c）Al元素EDS圖；（d）-（e）全氮化物全彩顯示屏
