LED網(wǎng)：LED芯片光電性能特性 Optical and Electrical Characteristics  （Ta=23 ℃ ）
參數(shù) Parameter
符號(hào)
Symbol
LED芯片工作條件 Test Condition  最小值 Min.  最大值 Max.  單位 Unit
LED芯片發(fā)光強(qiáng)度
Luminous Intensity
Iv  @20mA
80  85
mW
85  90
90  97.5
97.5  105
105  112.5
112.5  120
120  127.5
127.5  135
135  145
主波長(zhǎng)
Dominant Wavelength
Wd  @20mA
445.0  447.5
nm
447.5  450.0
450.0  452.5
452.5  455.0
455.0  457.5
457.5  460.0
460.0  462.5
462.5  465.0
正向電壓
Forward Voltage
Vf  @20mA  7.8  10.2  V
防靜電
Anti-static
ESD  HBM  1  -  KV
反向電流
Reverse Current
Ir  @-30V  -  0.5  A
反向電壓LED網(wǎng)
Reverse Voltage
Vr  @-10uA  30  -  V
開(kāi)啟電壓
Cut-in voltage
Vfin  @1uA  6  -  V
LED芯片應(yīng)用說(shuō)明 Application Notes
  所有數(shù)據(jù)均是基于華燦光電測(cè)試儀器上實(shí)施的裸晶芯片測(cè)試，99%的芯片符合標(biāo)
  All data are measured by HC SemiTek ’ s equipments on bare chips within 99% of the nominal value.
  主波長(zhǎng)的測(cè)試誤差為±1nm
  Measurement error for dominant wavelength is  ±1nm.
  氮化鎵基 LED 的 ESD 敏感度屬于人體模式的 class 1 級(jí)別，處理 LED 芯片時(shí)建議采取防靜電措施
  GaN LEDs are class 1 ESD sensitivity. ESD protection during chip handling is recommended.
  歡迎提出客制化特殊需求。
  Customer’s special requirements are also welcome.LED網(wǎng)