眾所周知，倒裝芯片效率更高，驅(qū)動電流范圍寬闊，耐大電流沖擊性能優(yōu)，是現(xiàn)有正裝芯片額定電流的兩倍左右。同時，隨著倒裝LED逐漸受到照明市場的重視，越來越多LED廠商開始投向此領(lǐng)域的研發(fā)及生產(chǎn)，以力圖從技術(shù)和成本方面，加快倒裝技術(shù)在照明應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。
LED倒裝芯片則集合了正裝芯片和垂直芯片的優(yōu)勢，在通用照明、汽車、大功率照明、大尺寸背光、投影儀、閃光燈等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
飛利浦、科銳、歐司朗等國際企業(yè)都不約而同地走上了LED倒裝芯片的技術(shù)路線。華燦光電作為國內(nèi)LED芯片領(lǐng)域的龍頭之一也將倒裝芯片作為其“芯“戰(zhàn)略的重要一環(huán)。
華燦光電積攢多年的倒裝研發(fā)經(jīng)驗，在今年光亞展期間，全面提出倒裝“燿”系列--白光倒裝LED芯片，一方面通過技術(shù)優(yōu)化在光效方面取得了進(jìn)一步的突破，在封裝可靠性保護(hù)方面不斷提升，另一方面實現(xiàn)芯片級熒光涂覆，便于直接COB應(yīng)用。
華燦光電倒裝芯片
華燦光電相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹說，華燦光電正從七個方面著力提升倒裝芯片的技術(shù)工藝成本等，并將其產(chǎn)業(yè)化。
1.研究高質(zhì)量低成本4英寸PSS襯底技術(shù)，優(yōu)化PSS的尺寸和規(guī)格，以提升出光效率;
2.優(yōu)化HVPE的生長工藝，在藍(lán)寶石襯底上生長表面平整度高、缺陷低、適合高質(zhì)量GaN晶體生長的GaN緩沖層;
3.優(yōu)化MOCVD生長工藝，在GaN緩沖層新型襯底上得到高內(nèi)量子效率的GaN基LED外延片，縮短外延時間，降低成本;
4.研究高質(zhì)量、高量子效率、低成本的適合制作倒裝LED芯片的外延結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，研制出具有能滿足SMT回流錫焊作業(yè)的對稱電極的倒裝LED芯片并將其產(chǎn)業(yè)化;
5.研究并實施基于倒裝芯片的芯片級LED封裝技術(shù)路線及量產(chǎn)化解決方案，重點關(guān)注高出光效率、高光色一致性芯片級熒光粉均勻涂覆技術(shù)，相關(guān)封裝材料的選型與驗證，以及芯片級LED封裝的專用工裝設(shè)備和工藝技術(shù);
6.面向大宗照明應(yīng)用，開展基于芯片級封裝LED的低成本光源模組技術(shù)及光色電熱接口的研究，開發(fā)出低成本光源模組基板，同時對集成電互聯(lián)結(jié)構(gòu)基板制程技術(shù)、新型LED散熱模組技術(shù)進(jìn)行開發(fā)，研究芯片級封裝LED貼裝技術(shù)、測試技術(shù)以及高顯色指數(shù)的配色方案，并實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用;
7.搭建芯片級封裝器件及模組失效機理分析及可靠性模型，設(shè)計可靠性試驗并進(jìn)行驗證，進(jìn)行芯片級LED光源封裝熱學(xué)模擬及分析。
上述負(fù)責(zé)人表示，華燦光電已實現(xiàn)中大功率倒裝LED芯片產(chǎn)業(yè)化，中功率倒裝芯片在主波長455±5 nm，180mA驅(qū)動電流下，藍(lán)光光功率≥320mW，功率轉(zhuǎn)換效率≥60%;同時在Tc=5000K，Ra>80，180mA驅(qū)動電流下,中功率芯片級封裝白光LED光效≥155lm/W，光源模組光效>140lm/W;
而在Tc=5000K，Ra>80,光源模組光效>140lm/W，模組功率密度>1800W/m2時，光源模組成本<0.5元/W;4.建立基于多場(光、熱、電、應(yīng)力、濕氣)耦合非線性建模仿真的芯片級LED封裝高加速試驗方法;同時建立芯片級LED光源封裝熱模型，建立一種適合LED白光模組的高顯色配色方案;。
華燦光電營銷總監(jiān)施松剛表示，華燦光電專注芯世界，將持續(xù)專注芯片領(lǐng)域，配合封裝客戶和應(yīng)用客戶，從應(yīng)用出發(fā)，從設(shè)備，材料，結(jié)構(gòu)，工藝方法方面進(jìn)行系統(tǒng)創(chuàng)新，為客戶提供高品質(zhì)的LED芯片，“芯”的突破領(lǐng)引“芯”的趨勢。
